Компанія Kioxia встановлює нові стандарти у виробництві твердотільної пам’яті, запускаючи масове виробництво 218-шарових мікросхем 3D NAND на своїй японській платформі. Цей крок дозволяє Kioxia збільшити ємність мікросхеми на 50% та знизити споживання енергії на 30% порівняно з попередніми моделями. Попит на твердотільну пам’ять, включаючи системи штучного інтелекту, зріс значно, відновивши завантаження підприємств до повного обсягу.
Kioxia, спадкоємець Toshiba Memory Corporation, планує вийти на фондовий ринок до кінця жовтня, використовуючи підйом попиту на продукцію 3D NAND як стимул для інвесторів. Прогнозується, що до 2027 року кількість шарів в мікросхемах може досягти 1000, але деякі експерти висловлюють сумніви щодо економічної доцільності такої швидкої експансії.
Недавно Kioxia також анонсувала початок постачання мікросхем 3D QLC NAND восьмого покоління з ємністю до 2 Тб на кристалах BiCS. Ці нові розробки підтверджують лідерство компанії в інноваціях та високотехнологічному виробництві твердотільної пам’яті.