Науковці з Південної Кореї та США зробили прорив у розумінні електрохімічної оперативної пам’яті (ECRAM). Нові дослідження зможуть суттєво покращити обчислення в пам’яті для систем штучного інтелекту. Їхнє відкриття показує нові можливості для створення швидших і економічніших чипів майбутнього.
Що відомо про ECRAM
Спільна команда дослідників з Поханського університету науки і технологій (POSTECH) та IBM дослідила принцип дії ECRAM. Це тип енергонезалежної пам’яті, здатної зберігати аналогову інформацію. Дослідження може дати новий імпульс розвитку смартфонів, ноутбуків та планшетів, дозволяючи зменшити споживання енергії та пришвидшити обчислення.
Ключовим у відкритті стало виявлення ролі кисневих вакансій у структурі матеріалу. Вони створюють умови, за яких електрони можуть ефективно переміщуватись, завдяки механізму перестрибування змінного діапазону Мотта. Цей ефект зберігається навіть при температурах до 50 К. Дослідники використовували оксид вольфраму як основний матеріал каналу, гафній-оксид у ролі електроліту та вольфрамовий затвор, що дозволило максимально точно простежити зміну опору.
ECRAM, як тритермінальний пристрій, давно розглядається як перспективна технологія зберігання даних. Її здатність працювати як штучний синапс у нейроморфних системах дає надію на новий рівень розвитку штучного інтелекту. Досі комерціалізацію стримувала складність розуміння поведінки оксидів перехідних металів, які лежать в основі таких пристроїв.