Компанія Samsung стала першою компанією в індустрії пам’яті, яка запустила масове виробництво Quad-Level Cell (QLC) V-NAND 9-го покоління. Після анонсу нової пам’яті V9 QLC в серпні цього року, технологічний гігант підтвердив, що новітні технології вже на конвеєрах.
QLC V-NAND 9-го покоління вражає збільшенням щільності бітів на 86% у порівнянні з попередньою версією V7 QLC. Це дозволяє забезпечити швидкість введення-виведення до 3,2 ГБ/с та підтримувати буферизацію SLC/TLC, що значно підвищує загальну продуктивність.
Samsung також використовує нові технології, такі як Designed Mold, для покращення інтервалів між клітинами пам’яті, що забезпечує їх стабільність і підвищує ефективність. Технологія Channel Hole Etching дозволяє створювати найбільшу кількість шарів пам’яті, а Predictive Program контролює зміни в клітинах для зменшення помилок.
З новим QLC V-NAND 9-го покоління Samsung обіцяє вдосконалені рішення для SSD, що відповідають потребам ери штучного інтелекту та забезпечують ще більшу ємність і швидкість для сучасних пристроїв.